Auf der Hausmesse Samsung Tech Day 2022 gibt Samsung einen Einblick in aktuelle Speicherentwicklungen, darunter auch GDDR7-Komponenten für kommende Grafikkarten. Die zuständige Unternehmensgruppe JEDEC hat GDDR7 noch nicht endgültig spezifiziert, Samsung hat aber bereits ein wichtiges Detail verraten: Die entsprechenden Komponenten sollen mindestens 36 Gigabit pro Sekunde (Gbps) und Pin erreichen.
Das ist eine 50-prozentige Geschwindigkeitssteigerung im Vergleich zu den schnellsten GDDR6- und GDDR6X-Geräten. Maximal 24 Gbit/s sind derzeit möglich, allerdings beschränkt sich Nvidia auch bei seinem neuen Topmodell GeForce RTX 4090 auf 21 Gbit/s GDDR6X. AMD verbaut in seiner (noch) schnelleren Grafikkarte Radeon RX 6950 XT 18 Gbit/s GDDR6.
Mit ihrem 384 Bit breiten Speicherinterface erreicht die GeForce RTX 4090 eine Übertragungsgeschwindigkeit von 1008 GB/s. Mit schnellen 36 Gbit/s GDDR7-Komponenten wären 1728 GB/s auf einer 384-Bit-Schnittstelle möglich; diese Werte erreicht bisher nur HBM Stapelspeicher.
Noch kein Termin
Wann der GDDR7-RAM marktreif sein wird, verriet Samsung nicht. In den letzten 12 Monaten scheint sich jedenfalls einiges getan zu haben: Beim Samsung Tech Day 2021 versprach das Unternehmen noch GDDR7-Komponenten mit 32 Gbps. Vor der Vorstellung könnte es noch mehr Leistungssprünge geben.
Zu den weiteren Innovationen von Samsung gehören DRAM 1b-Chips der nächsten Generation in der 10-Nanometer-Klasse, jedoch als 1a mit extremer Ultraviolett (EUV)-Lithographietechnologie. Die Serienproduktion soll 2023 beginnen. Dann wird auch TLC-NAND-Flash mit einer Kapazität von 1 Terabit pro Gerät verfügbar sein. Bis 2030 zielt Samsung auf NAND-Flash mit mehr als 1000 Speicherschichten ab: Die aktuelle Grenze liegt bei 236 Schichten.
(mm)
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